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AON6576  与  BSC050N03MS G  区别

型号 AON6576 BSC050N03MS G
唯样编号 A-AON6576 A-BSC050N03MS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V 5mΩ
上升时间 - 7.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 16V
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 -
连续漏极电流Id 32A 16A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3M
长度 - 5.9mm
下降时间 - 7.4ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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